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STB9NK50Z中文资料

STB9NK50Z图片

STB9NK50Z外观图

  • 大小:572.91KB
  • 厂家:STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述:N-CHANNEL 500V - 0.72ohm - 7.2A TO-220/TO-220FP/D2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
  • 典型关断延迟时间:45 ns
  • 典型接通延迟时间:17 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs:32 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds:910 pF V @ 25
  • 安装类型:表面贴装
  • 宽度:9.35mm
  • 封装类型:D2PAK
  • 尺寸:10.4 x 9.35 x 4.6mm
  • 引脚数目:3
  • 最低工作温度:-55 °C
  • 最大功率耗散:110000 mW
  • 最大栅源电压:±30 V
  • 最大漏源电压:500 V
  • 最大漏源电阻值:0.85
  • 最大连续漏极电流:7.2 A
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:功率 MOSFET
  • 通道模式:增强
  • 通道类型:N
  • 配置:单
  • 长度:10.4mm
  • 高度:4.6mm

STB9NK50Z供应商

更新时间:2023-01-10 23:33:00
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